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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDS3572_NL
FDS3572_NL PDF预览

FDS3572_NL

更新时间： 2024-11-01 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
11页 620K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 80V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

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FDS3572_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.2
雪崩能效等级（Eas）：515 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (ID)：8.9 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS3572_NL 数据手册

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November 2003  
FDS3572  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
80V, 8.9A, 16mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
r
= 14mΩ (Typ.), V = 10V, I = 8.9A  
•
•
•
Primary switch for Isolated DC/DC converters  
DS(ON)  
GS  
D
Q
= 31nC (Typ.), V = 10V  
GS  
g(tot)  
Distributed Power and Intermediate Bus Architectures  
Low Miller Charge  
High Voltage Synchronous Rectifier for DC Bus  
Converters  
Low Q Body Diode  
RR  
Optimized efficiency at high frequencies  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Formerly developmental type 82663  
Branding Dash  
5
6
7
8
4
3
2
1
5
1
2
3
4
SO-8  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
80  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
20  
Drain Current  
o
o
8.9  
5.6  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V, R  
= 50 C/W)  
A
GS  
θJA  
I
D
o
o
Continuous (T = 100 C, V = 10V, R  
= 50 C/W)  
A
GS  
θJA  
Pulsed  
Figure 4  
515  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
Power dissipation  
mJ  
W
AS  
2.5  
D
o
o
Derate above 25 C  
20  
mW/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 150  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case (Note 2)  
25  
50  
85  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance, Junction to Ambient at 10 seconds (Note 3)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient at 1000 seconds (Note 3)  
C/W  
o
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
2500 units  
FDS3572  
FDS3572  
SO-8  
330mm  
12mm  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS3572 Rev. A  
1234567...11

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FDS3572_NL 替代型号

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