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FDS3580D84Z

更新时间： 2024-11-18 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 201K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS3580D84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (ID)：7.6 A
最大漏源导通电阻：0.027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS3580D84Z 数据手册

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April 1999  
PRELIMINARY  
FDS3580  
80V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
• 7.6 A, 80 V. RDS(ON = 0.027 Ω @ VGS = 10 V  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically  
to improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers.  
)
RDS(ON) = 0.031 Ω @ VGS = 6 V.  
• Low gate charge (34nC typical).  
These MOSFETs feature faster switching and lower gate  
charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON)  
specifications.  
• Fast switching speed.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power supply  
designs with higher overall efficiency.  
• High power and current handling capability.  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
80  
V
V
A
20  
±
(Note 1a)  
(Note 1a)  
7.6  
50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
2.5  
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.2  
1
C
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°
Thermal Characteristics  
θ
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
50  
25  
C/W  
C/W  
JA  
°
°
JC  
θ
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDS3580  
FDS3580  
13’’  
12mm  
2500 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS3580 Rev. B  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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