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FDS3612F011

更新时间： 2024-11-18 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 260K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS3612F011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：3.4 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS3612F011 数据手册

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March 2001  
FDS3612  
100V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers.  
• 3.4 A, 100 V. RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = 10 V  
DS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 6 V  
R
• Fast switching speed  
These MOSFETs feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is  
• Low gate charge (14 nC typ)  
easy and safer to drive (even at very high frequencies),  
and DC/DC power supply designs with higher overall  
efficiency.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• High power and current handling capability  
Applications  
•
•
DC/DC converter  
Motor Driver  
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
100  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
3.4  
20  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
PD  
W
1.2  
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS3612  
FDS3612  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS3612 Rev B1(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDS3612F011相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS3612L86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS3670 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 7.5A, 22mз
FDS3672 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，7.5A，22mΩ
FDS3672 UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C

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