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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.69 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 167209 | Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit | Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | SO 8L NB (SOIC) | Samacsys Released Date： | 2015-04-13 16:43:25 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 171 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7452TRPBF | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7490PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7853PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS3812 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET |
|
| FDS3812_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 80V, 0.074ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS3812L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 80V, 0.074ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS3890 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET |
|
| FDS3890 | ONSEMI |
获取价格 |
80V N 沟道双 PowerTrench® MOSFET 4.7A，44mΩ |
|
| FDS3890_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS3890D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS3890L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS3890S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS3912 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
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