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FDS3890_NL

更新时间： 2024-11-14 13:02:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 86K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

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FDS3890_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.37
雪崩能效等级（Eas）：175 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (ID)：4.7 A
最大漏源导通电阻：0.044 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS3890_NL 数据手册

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February 2001  
FDS3890  
80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers.  
4.7 A, 80 V.  
RDS(ON) = 44 mΩ @ VGS = 10 V  
DS(ON) = 50 mΩ @ VGS = 6 V  
R
• Fast switching speed  
These MOSFETs feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is  
easy and safer to drive (even at very high frequencies),  
and DC/DC power supply designs with higher overall  
efficiency.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• High power and current handling capability  
D1  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
S1  
SO-8  
G2  
S2  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
80  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
4.7  
20  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
PD  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.0  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS3890  
FDS3890  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS3890 Rev B(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDS3890_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS3890 ONSEMI

功能相似

 80V N 沟道双 PowerTrench® MOSFET 4.7A，44mΩ
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FDS3890D84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3890S62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS3912_NL FAIRCHILD

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FDS3992 ONSEMI

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FDS3992_04 FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 4.5A
FDS-40 YAMAICHI

获取价格

 		Card Edge Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, Socket

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