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FDS3992

更新时间： 2024-11-13 22:31:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
11页	279K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 4.5A, 62mз

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FDS3992 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.31
雪崩能效等级（Eas）：	167 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.062 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS3992 数据手册

September 2002

FDS3992

N-Channel PowerTrench^®MOSFET

100V, 4.5A, 62mΩ

Features

Applications

•

r_DS(ON)= 54mΩ (Typ.), V_GS= 10V, I_D= 4.5A

Q_g(tot) = 11nC (Typ.), V_GS= 10V

Low Miller Charge

•

DC/DC converters and Off-Line UPS

Distributed Power Architectures and VRMs

Primary Switch for 24V and 48V Systems

High Voltage Synchronous Rectifier

Direct Injection / Diesel Injection Systems

42V Automotive Load Control

Low Q_RRBody Diode

Optimized efficiency at high frequencies

UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Formerly developmental type 82745

Electronic Valve Train Systems

(1)

(2)

(8)

(7)

Branding Dash

(3)

(4)

(6)

(5)

SO-8

MOSFET Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GS

Parameter

Ratings

100

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

±20

Continuous (T_A= 25^oC, V_GS= 10V, R_θJA= 50^oC/W)

Continuous (T_A= 100^oC, V_GS= 10V, R_θJA= 50^oC/W)

Pulsed

4.5

2.8

I_D

Figure 4

167

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)

Power dissipation

Derate above 25^oC

mW/^oC

^oC

2.5

P_D

T_J, T_STG

Operating and Storage Temperature

-55 to 150

Thermal Characteristics

R_θJA

R_θJC

Thermal Resistance, Junction to Ambient at 10 seconds (Note 3)

^oC/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient at 1000 seconds (Note 3)

Thermal Resistance, Junction to Case (Note 2)

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Package

Reel Size

Tape Width

12mm

Quantity

FDS3992

SO-8

330mm

2500 units

FDS3992 Rev. B

12 3 4 5 6 7...11

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FDS3992 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS3992	ONSEMI	类似代替	分立式商用N沟道PowerTrench MOSFET，100V，4.5A，0.062 Oh
ZXMN10A08DN8TA	DIODES	功能相似	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

与FDS3992相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS3992_04	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 4.5A
FDS-40	YAMAICHI	获取价格	Card Edge Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, Socket
FDS402BE	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 98A, Silicon,
FDS402SN	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 3 Phase, 215A, Silicon,
FDS402TG	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 3 Phase, 225A, Silicon,
FDS402TN	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 3 Phase, 215A, Silicon,
FDS4070N3	FAIRCHILD	获取价格	40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4070N3_04	FAIRCHILD	获取价格	40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4070N7	FAIRCHILD	获取价格	40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4070N7_04	FAIRCHILD	获取价格	40V N-Channel PowerTrench MOSFET

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