FDS3812_NL

更新时间： 2024-11-14 13:07:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	88K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 80V, 0.074ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

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FDS3812_NL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	90 mJ
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (ID)：	3.4 A	最大漏源导通电阻：	0.074 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS3812_NL 数据手册

May 2001

FDS3812

80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This N-Channel MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers.

3.4 A, 80 V.

R_DS(ON)= 74 mΩ @ V_GS= 10 V

_DS(ON)= 84 mΩ @ V_GS= 6 V

• Fast switching speed

These MOSFETs feature faster switching and lower

gate charge than other MOSFETs with comparable

R_DS(ON)specifications. The result is a MOSFET that is

• Low gate charge (13nC typ)

easy and safer to drive (even at very high frequencies),

and DC/DC power supply designs with higher overall

efficiency.

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• High power and current handling capability

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

± 20

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

3.4

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

1.6

P_D

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

1.0

0.9

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +175

°C

Thermal Characteristics

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Case

R_θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS3812

13’’

12mm

2500 units

FDS3812 Rev B1(W)

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS3812L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 80V, 0.074ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3890	FAIRCHILD	获取价格	80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET
FDS3890	ONSEMI	获取价格	80V N 沟道双 PowerTrench® MOSFET 4.7A，44mΩ
FDS3890_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3890D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3890L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3890S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3912	FAIRCHILD	获取价格	100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS3912_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDS3912L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.132ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met

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