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FDS3670

更新时间： 2024-11-17 22:13:35
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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8页 205K
描述
100V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET

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FDS3670 数据手册

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January 2000  
PRELIMINARY  
FDS3670  
100V N-Channel PowerTrenchꢀ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers.  
• 6.3 A, 100 V. RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = 10 V  
DS(ON) = 0.033 Ω @ VGS = 6 V.  
R
• Low gate charge (57 nC typical).  
• Fast switching speed  
These MOSFETs feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications.  
• High performance trench technology for extremely  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power  
supply designs with higher overall efficiency.  
low RDS(ON)  
.
• High power and current handling capability.  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
100  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±20  
6.3  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
1.2  
(Note 1c)  
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS3670  
FDS3670  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS3670 Rev B1 (W)  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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FDS3670 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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