5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SO-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.43 | 雪崩能效等级（Eas）： | 156 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HUF75631SK8 | FAIRCHILD |
类似代替  |
5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET |
|
| IRF7452TRPBF | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS3682_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDS3690 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDS3690S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FDS3692 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m??? |
|
| FDS3692 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，4.5A，60mΩ |
|
| FDS3812 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET |
|
| FDS3812_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 80V, 0.074ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS3812L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 80V, 0.074ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS3890 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET |
|
| FDS3890 | ONSEMI |
获取价格 |
80V N 沟道双 PowerTrench® MOSFET 4.7A，44mΩ |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
