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FDS3590S62Z

更新时间： 2024-11-18 20:09:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	173K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS3590S62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
最大漏源导通电阻：	0.037 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS3590S62Z 数据手册

March 1999

ADVANCE INFORMATION

FDS3590

80V N-Channel PowerTrench^TMMOSFET

Features

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed specifically

to improve the overall efficiency of DC/DC converters

using either synchronous or conventional switching PWM

controllers.

• 6.5 A, 80 V. R_DS(ON)= 0.037 Ω @ V_GS= 10 V

R_DS(ON= 0.043 Ω @ V_GS= 6 V.

)

• Low gate charge.

These MOSFETs feature faster switching and lower gate

charge than other MOSFETs with comparable R_DS(ON)

specifications.

• Fast switching speed.

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

The result is a MOSFET that is easy and safer to drive

(even at very high frequencies), and DC/DC power supply

designs with higher overall efficiency.

• High power and current handling capability.

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

I_D

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

6.5

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

2.5

1.2

(Note 1c)

1.0

T_J, T_stg

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

R_θ

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

R_θ

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

12mm

Quantity

2500 units

FDS3590

13’’

FDS3590 Rev. A

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6

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与FDS3590S62Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS3601	FAIRCHILD	获取价格	100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS3601_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3601D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3601F011	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3601L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3601N	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 1.3A I(D) \| SO
FDS3601ND84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3601NL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3601NL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3601NS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me

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