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FDS3601D84Z

更新时间： 2024-11-18 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 266K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS3601D84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：26 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：1.3 A最大漏源导通电阻：0.53 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS3601D84Z 数据手册

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August 2001  
FDS3601  
100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel MOSFETs have been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers.  
• 1.3 A, 100 V. RDS(ON) = 480 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 530 mΩ @ VGS = 6 V  
• Fast switching speed  
These MOSFETs feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is  
• Low gate charge (3.7nC typical)  
easy and safer to drive (even at very high frequencies),  
and DC/DC power supply designs with higher overall  
efficiency.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• High power and current handling capability  
D1  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
S1  
SO-8  
G2  
S2  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
100  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
1.3  
6
PD  
W
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.0  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS3601  
FDS3601  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS3601 Rev C(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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