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FDS3590F011

更新时间： 2024-11-19 07:30:31

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	204K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS3590F011 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.46	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
最大漏源导通电阻：	0.037 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

FDS3590F011 数据手册

January 2000

PRELIMINARY

FDS3590

80V N-Channel PowerTrench® MOSFET

General Description

Features

This N-Channel MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers.

• 6.5 A, 80 V

R_DS(ON)= 0.037 Ω @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 0.043 Ω @ V_GS= 6 V

• Low gate charge

These MOSFETs feature faster switching and lower

gate charge than other MOSFETs with comparable

R_DS(ON)specifications.

• Fast switching speed

• High performance trench technology for extremely

The result is a MOSFET that is easy and safer to drive

(even at very high frequencies), and DC/DC power

supply designs with higher overall efficiency.

low R_DS(ON)

• High power and current handling capability

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±20

6.5

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

2.5

1.2

(Note 1c)

1.0

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature

Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

R_θJA

°C/W

(Note 1)

R_θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS3590

13’’

12mm

2500 units

FDS3590 Rev B. (W)

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS3590-F095	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDS3590L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS3590S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS3601	FAIRCHILD	获取价格	100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS3601_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3601D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3601F011	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3601L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS3601N	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 1.3A I(D) \| SO
FDS3601ND84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me

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