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FDP023N08B-F102

更新时间： 2024-11-13 11:13:39

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安森美 - ONSEMI		/
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描述
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 75V，242A，2.35mΩ

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FDP023N08B-F102 数据手册

FDP023N08B

N 沟道 PowerTrench MOSFET

75 V、 242 A、 2.35 mΩ

特性

说明

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench^®工艺

生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越

开关性能而定制的。

•

R_DS(on)= 1.96 mΩ ( Typ.)@V_GS= 10 V, I_D= 75 A

低 FOM R_DS(on)*Q_G

低反向恢复电荷， Q_rr

软反向恢复体二极管

可实现高效同步整流

应用

快速开关速度

•

用于 ATX/ 服务器 / 电信 PSU 的同步整流

电池保护电路

100% 经过 UIL 测试

符合 RoHS 标准

DC 电机驱动和不间断电源

微型光伏逆变器

TO-220

MOSFET 最大额定值 TC =25°C 除非另有说明。

FDP023N08B-F102

符号

参数

单位

V_DSS

V_GSS

±20

漏极－源极电压

栅极－源极电压

242*

171*

120

- 连续（T_C=25°C，硅限制）

- 连续（T_C=100°C，硅限制）

- 连续（T_C=25°C，封装限制）

- 脉冲

I_D

漏极电流

I_DM

968

漏极电流

（说明 1）

（说明 2）

（说明 3）

E_AS

dv/dt

961

单脉冲雪崩能量

二极管恢复 dv/dt 峰值

V/ns

(T_C= 25°C)

245

P_D

功耗

1.64

-55 至 +175

300

W/°C

°C

- 降低至 25°C 以上

T_J, T_STG

T_L

工作和存储温度范围

°C

用于焊接的最大引线温度，距离外壳 1/8"，持续 5 秒

* 封装限制电流为 120 安。

热性能

FDP023N08B-F102

符号

参数

单位

R_θJC

R_θJA

0.61

62.5

结至外壳热阻最大值

结至环境热阻最大值

°C/W

Publication Order Number:

FDP023N08BCN/D

December-2017, Rev. 3

12 3 4 5 6 7...10

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