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FDP032N08B-F102

更新时间： 2023-09-03 20:35:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
10页 1123K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，211A，3.3mΩ

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FDP032N08B-F102 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：1.52Samacsys Description：MOSFET FET 80V 3.3 MOHM TO220
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：263 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NOBase Number Matches：1

FDP032N08B-F102 数据手册

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FDP032N08B  
®
N 沟道PowerTrench MOSFET  
80 V、211 A、3.3 m  
特性  
•
说明  
此N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的PowerTrench® 工艺  
生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越  
开关性能而定制的。  
RDS(on) = 2.85 m(Typ.)@VGS = 10 V, ID = 50 A  
• 低FOM RDS(on) * QG  
• 低反向恢复电荷，Qrr  
• 软反向恢复体二极管  
• 可实现高效同步整流  
• 快速开关速度  
应用  
• 用于ATX/ 服务器/ 电信PSU 的同步整流  
• 电池保护电路  
• 电机驱动和不间断电源  
• 可再生系统  
•
100% 经过UIL 测试  
• 符合RoHS 标准  
D
G
G
D
S
TO-220  
S
MOSFET 最大额定值TC =25°C 除非另有说明。  
FDP032N08B-F102  
符号  
参数  
单位  
VDSS  
VGSS  
80  
±20  
V
漏极- 源极电压  
栅极- 源极电压  
V
A
211*  
149*  
120  
- 连续（TC=25°C，硅限制）  
- 连续（TC=100°C，硅限制）  
- 连续（TC=25°C，封装限制）  
- 脉冲  
ID  
漏极电流  
IDM  
844  
A
mJ  
漏极电流  
（说明1）  
（说明2）  
（说明3）  
EAS  
dv/dt  
649  
单脉冲雪崩能量  
二极管恢复dv/dt 峰值  
6.0  
V/ns  
W
(TC = 25°C)  
263  
PD  
功耗  
1.75  
W/°C  
°C  
- 降低至25°C 以上  
TJ, TSTG  
TL  
-55 至+175  
300  
工作和存储温度范围  
°C  
用于焊接的最大引线温度，距离外壳1/8"，持续5 秒  
* 封装限制电流为120 安。  
热性能  
FDP032N08B-F102  
符号  
参数  
单位  
RJC  
RJA  
0.57  
62.5  
结至外壳热阻最大值  
结至环境热阻最大值  
°C/W  
Publication Order Number:  
FDP032N08BCN/D  
© 2012 飞兆半导体公司  
December-2017, Rev. 3  
1234567...10

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与FDP032N08B-F102相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP032N08-F102 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，235A，3.2mΩ
FDP036N10A FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 214A, 3.
FDP036N10A ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，214A，3.6mΩ
FDP036N10A UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDP038AN06A0 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.8mз
FDP038AN06A0 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，80A，3.8mΩ
FDP038AN06A0_05 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 80A, 3.8mз
FDP038AN06A0_10 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 3.8m
FDP038AN06A0-F101 FAIRCHILD

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 		Transistor
FDP038AN06A0-F102 ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，80A，3.8mΩ

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