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FDP036N10A

更新时间： 2024-05-23 22:21:56
品牌 Logo 应用领域
友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
7页 825K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:75A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:3.6mΩ@10V

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FDP036N10A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.54
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：658 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：176 A
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：227 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：704 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

FDP036N10A 数据手册

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R
FDP036N10  
UMW  
100 V  
N-Channel  
MOSFET  
Description  
This N-Channel MOSFET is has been tailored  
to mini-mize the on-state resistance while  
maintaining superior switching performance.  
Features  
• Fast Switching Speed  
• Low Gate Charge, QG= 89 nC (Typ.)  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low  
• High Power and Current Handling Capability  
R
DS(on)  
•
•
VDS(V) =100V  
D
ID =75A (VGS= 10V)  
RDS(ON) <3.6mΩ (V GS =10V)  
•
G
Applications  
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU  
• Battery Protection Circuit  
S
• Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies  
• Micro Solar Inverter  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted.  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP036N10A  
100  
Unit  
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
±20  
V
- Continuous (TC = 25oC, Silicon Limited)  
- Continuous (TC = 100oC, Silicon Limited)  
- Continuous (TC = 25oC, Package Limited)  
214*  
ID  
Drain Current  
151*  
A
120  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 3)  
856  
A
mJ  
EAS  
dv/dt  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
658  
6.0  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
(TC = 25oC)  
- Derate Above 25oC  
333  
PD  
Power Dissipation  
2.22  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temperature for Soldering, 1/8” from Case for 5 Seconds  
-55 to +175  
300  
oC  
*Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package limitation current is 120A.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
RθJC  
RθJA  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.  
FDP036N10A  
0.45  
Unit  
oC/W  
62.5  
www.umw-ic.com  
UTD Semiconductor Co.,Limited  
1
1234567

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