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FDP045N10A-F102

更新时间： 2024-10-03 11:12:31

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安森美 - ONSEMI		/
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10页	761K
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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，164A，4.5mΩ

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FDP045N10A-F102 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	1.51	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	263 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

FDP045N10A-F102 数据手册

FDP045N10A / FDI045N10A

N 沟道 PowerTrench MOSFET

说明

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench^®

100 V、 164 A、 4.5 m

工

艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓

越开关性能而定制的。

特性

•

R_DS(on)= 3.8 m ( Typ.)@V_GS= 10 V, I_D= 100 A

快速开关速度

应用

低栅极电荷， Q_G=54 nC （典型值）

高性能沟道技术可实现极低的 R_DS(on)

高功率和高电流处理能力

•

用于 ATX/ 服务器 / 电信 PSU 的同步整流

电池保护电路

电机驱动和不间断电源

微型光伏逆变器

•

符合 RoHS 标准

I²-PAK

TO-220

MOSFET 最大额定值T_C=25°C 除非另有说明。

FDP045N10A-F102

FDI045N10A-F102

符号

参数

单位

V_DSS

V_GSS

100

±20

漏极－源极电压

栅极－源极电压

164*

116

- 连续（T_C=25°C，硅限制）

- 连续（T_C= 100°C，硅限制）

- 连续（T_C=25°C，封装限制）

- 脉冲

I_D

漏极电流

120

I_DM

656

漏极电流

（说明 1）

（说明 2）

（说明 3）

E_AS

dv/dt

637

单脉冲雪崩能量

二极管恢复 dv/dt 峰值

6.0

V/ns

(T_C= 25°C)

263

P_D

功耗

1.75

W/°C

°C

- 降低至 25°C 以上

T_J, T_STG

T_L

-55 至 +175

300

工作和存储温度范围

°C

用于焊接的最大引线温度，距离外壳 1/8"，持续 5 秒

* 计算连续电流（基于最高允许结温）。封装限制电流为 120 A。

热性能

FDP045N10A_F102

FDI045N10A_F102

符号

参数

单位

R_JC

R_JA

0.57

62.5

结至外壳热阻最大值

结至环境热阻最大值

°C/W

Publication Order Number:

December-2017,Rev.3

FDP045N10ACN/D

12 3 4 5 6 7...10

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