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FDP038AN06A0

更新时间： 2024-01-11 07:24:56
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
10页 273K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.8mз

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FDP038AN06A0 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.83
雪崩能效等级（Eas）：625 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.0038 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：310 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP038AN06A0 数据手册

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August 2002  
FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
60V, 80A, 3.8mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 3.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A  
Qg(tot) = 95nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
Motor / Body Load Control  
ABS Systems  
Powertrain Management  
Injection Systems  
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 12V and 24V systems  
Formerly developmental type 82584  
SOURCE  
D
S
DRAIN  
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
GATE  
G
DRAIN  
(FLANGE)  
TO-220AB  
FDP SERIES  
TO-262AB  
FDI SERIES  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
±20  
Continuous (TC < 151oC, VGS = 10V)  
Continuous (Tamb = 25oC, VGS = 10V, with RθJA = 62oC/W)  
Pulsed  
80  
A
ID  
17  
Figure 4  
625  
A
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
310  
W
PD  
2.07  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220, TO-262  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, TO-262 (Note 2)  
0.48  
62  
oC/W  
oC/W  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive  
industry. For a copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality  
systems certification.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 Rev. A1  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP038AN06A0_05 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 80A, 3.8mз
FDP038AN06A0_10 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 3.8m
FDP038AN06A0-F101 FAIRCHILD

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 		Transistor
FDP038AN06A0-F102 ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，80A，3.8mΩ
FDP039N08B FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 171A, 3.9mW
FDP040N06 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 168A, 4.0m
FDP045N10A FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 164A, 4.
FDP045N10A UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDP045N10A_F102 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
FDP045N10A-F102 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，164A，4.5mΩ

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