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FDMS7680

更新时间： 2024-11-09 06:59:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 315K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 6.9 mΩ

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FDMS7680 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.3
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：29 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：53 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.0069 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：33 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS7680 数据手册

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April 2009  
FDMS7680  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
30 V, 6.9 mΩ  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency and to minimize switch node  
ringing of DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers. It has been optimized  
for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body  
diode reverse recovery performance.  
„ Max rDS(on) = 6.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14 A  
„ Max rDS(on) = 11 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11 A  
„ Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on)  
and high efficiency  
„ Next generation enhanced body diode technology, engineered  
for soft recovery.  
Applications  
„ IMVP Vcore Switching for Notebook  
„ VRM Vcore Switching for Desktop and Server  
„ OringFET / Load Switch  
„ MSL1 robust package design  
„ 100% UIL tested  
„ RoHS Compliant  
„ DC-DC Conversion  
Top  
Bottom  
Pin 1  
S
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
S
S
G
2
1
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
30  
V
Gate to Source Voltage  
+/-20  
V
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
28  
53  
ID  
A
(Note 1a)  
(Note 3)  
(Note 1a)  
14  
-Pulsed  
80  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
29  
33  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Power Dissipation  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3.7  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS7680  
FDMS7680  
Power 56  
3000 units  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS7680 Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
1
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