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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMS7670
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FDMS7670

更新时间： 2024-11-05 06:59:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 323K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 3.8 mΩ

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FDMS7670 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.27
雪崩能效等级（Eas）：144 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：105 A最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.0038 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：62 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS7670 数据手册

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April 2009  
FDMS7670  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
30 V, 3.8 mΩ  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency and to minimize switch node  
ringing of DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers. It has been optimized  
for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body  
diode reverse recovery performance.  
„ Max rDS(on) = 3.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 21 A  
„ Max rDS(on) = 5.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A  
„ Advanced Package and Silicon design for low rDS(on) and high  
efficiency  
„ Next generation enhanced body diode technology, engineered  
for soft recovery. Provides Schottky-like performance with  
minimum EMI in sync buck converter applications  
Applications  
„ IMVP Vcore Switching for Notebook  
„ VRM Vcore Switching for Desktop and Server  
„ OringFET / Load Switch  
„ MSL1 robust package design  
„ 100% UIL tested  
„ RoHS Compliant  
„ DC-DC Conversion  
Top  
Bottom  
Pin 1  
S
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
S
S
G
2
1
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
±20  
V
V
(Note 4)  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
42  
105  
ID  
A
(Note 1a)  
(Note 3)  
(Note 1a)  
21  
-Pulsed  
150  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
144  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
62  
PD  
Power Dissipation  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
2.0  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS7670  
FDMS7670  
Power 56  
3000 units  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS7670 Rev.D  
www.fairchildsemi.com  
1
1234567

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FDMS7670 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
STL140N4LLF5 STMICROELECTRONICS

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FDMS7672 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 5.0 mΩ
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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，5.0mΩ
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