5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDMS3672
FDMS3672 PDF预览

FDMS3672

更新时间： 2024-09-22 11:15:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 278K
描述
N 沟道，UltraFET® Trench MOSFET，100V，22A，23mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDMS3672 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-N8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：0.96
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-N8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：78 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS3672 数据手册

 浏览型号FDMS3672的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDMS3672的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDMS3672的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDMS3672的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDMS3672的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDMS3672的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
UltraFET Trench  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(ON)  
100 V  
23 mW @ 10 V  
29 mW @ 6 V  
22 A  
100 V, 22 A, 23 mW  
Pin 1  
S
S
G
S
FDMS3672  
General Description  
UItraFET devices combine characteristics that enable benchmark  
efficiency in power conversion applications. Optimized for R  
,
DS(on)  
low ESR, low total and Miller gate charge, these devices are ideal for  
high frequency DC to DC converters.  
D
D D  
D
Bottom  
WDFN8 5x6, 1.27P  
Power 56  
Features  
• Max R  
• Max R  
= 23 mW at V = 10 V, I = 7.4 A  
GS D  
CASE 506DP  
DS(on)  
= 29 mW at V = 6 V, I = 6.6 A  
DS(on)  
GS  
D
• Typ Qg = 31 nC at V = 10 V  
GS  
D
4
G
S
S
5
• Low Miller Charge  
• Optimized Efficiency at High Frequencies  
D
D
6
7
3
• This Device is Pb−Free, Halide Free and RoHS Compliant  
2
1
Applications  
• DC−DC Conversion  
S
D
8
N-CHANNEL MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Value  
100  
20  
Unit  
V
MARKING DIAGRAM  
V
DS  
V
GS  
Gate−Source Voltage  
V
&Z&2&K  
FDM  
S3672  
I
D
Drain Current  
A
– Continuous (Package Limited)  
– Continuous (Silicon Limited)  
– Continuous (Note 1a)  
– Pulsed  
T
T
A
= 25°C  
= 25°C  
22  
41  
7.4  
30  
C
C
T = 25°C  
P
D
Power Dissipation  
Power Dissipation (Note 1a)  
T
A
= 25°C  
C
78  
2.5  
W
T = 25°C  
&Z  
&2  
&K  
= Assembly Location  
= Date Code  
= Lot Run Traceability Code  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
–55 to  
+150  
°C  
J
STG  
FDMS3672 = Specific Device Code  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
†
Device  
Package  
Shipping  
R
Thermal Resistance,  
1.6  
°C/W  
q
JC  
FDMS3672  
WDFN8  
(Pb−Free,  
Halide Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
Junction to Case  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient (Note 1a)  
53  
°C/W  
q
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
May, 2023 − Rev. 3  
FDMS3672/D  
1234567

中文翻译

下载PDF

与FDMS3672相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS3686S FAIRCHILD

获取价格

 		PowerTrench® Power Stage Asymmetric Dual N-C
FDMS3686S ONSEMI

获取价格

 		不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V
FDMS3D5N08LC ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET 80V，单 N 沟道，136A，3.5mΩ，采用 Power 56
FDMS4435BZ FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -18 A,
FDMS4435BZ ONSEMI

获取价格

 		P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V，-18A，20mΩ
FDMS4D0N12C ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，118A，4.0mΩ
FDMS4D4N08C ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，123A，4.3mΩ
FDMS4D5N08LC ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 80V Single N Channel, 116A, 4.2m
FDMS5352 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 60V, 49A, 6.7m
FDMS5352 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，49A，6.7mΩ

与FDMS3672相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证