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FDMS4435BZ PDF预览

FDMS4435BZ

更新时间： 2023-09-03 20:40:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 410K
描述
P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V，-18A，20mΩ

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FDMS4435BZ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.97
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：18 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：39 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS4435BZ 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – P-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
r
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(on)  
−30 V  
20 mW @ −10 V  
37 mW @ −4.5 V  
−18 A  
-30 V, -18 A, 20 mW  
FDMS4435BZ  
Pin 1  
General Description  
S
S
This P−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
POWERTRENCH process that has been especially tailored to  
minimize the on−state resistance. This device is well suited for Power  
Management and load switching applications common in Notebook  
Computers and Portable Battery Packs.  
S
G
D
D
D
D
Bottom  
Top  
Features  
PQFN8 5X6, 1.27P  
(Power 56)  
CASE 483AE  
• Max r  
• Max r  
= 20 mW at V = −10 V, I = −9.0 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
= 37 mW at V = −4.5 V, I = −6.5 A  
GS  
D
• Extended VGSS range (−25 V) for battery applications  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low r  
• High Power and Current Handling Capability  
• HBM ESD Protection Level >7 kV Typical (Note 4)  
• 100% UIL Tested  
DS(on)  
MARKING DIAGRAM  
&Z&3&K  
FDMS  
4435BZ  
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
Applications  
&Z  
&3  
&K  
= Assembly Plant Code  
= 3−Digit Date Code  
= 2−Digits Lot Run Code  
• High Side in DC−DC Buck Converters  
• Notebook Battery Power Management  
• Load Switch in Notebook  
FDMS4435BZ = Specific Device Code  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
PIN ASSIGNMENT  
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Ratings  
−30  
Unit  
V
V
DS  
V
GS  
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
25  
V
I
D
A
− Continuous (Package Limited) T = 25°C  
−18  
−35  
−9.0  
−50  
C
− Continuous (Silicon Limited) T = 25°C  
C
− Continuous T = 25°C (Note 1a)  
A
− Pulsed  
E
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
Power Dissipation  
18  
mJ  
W
AS  
P
D
T
= 25°C  
39  
2.5  
C
T = 25°C (Note 1a)  
A
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
3.2  
Unit  
R
q
JC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
°C/W  
R
q
JA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
50  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
May, 2023 − Rev. 3  
FDMS4435BZ/D  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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