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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMS4435BZ
FDMS4435BZ PDF预览

FDMS4435BZ

更新时间： 2024-02-27 04:44:52
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 266K
描述
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -18 A, 20 mΩ

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FDMS4435BZ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.97
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：18 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：39 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS4435BZ 数据手册

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March 2011  
FDMS4435BZ  
P-Channel PowerTrench® MOSFET  
-30 V, -18 A, 20 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 20 mΩ at VGS = -10 V, ID = -9.0 A  
„ Max rDS(on) = 37 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -6.5 A  
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance. This  
device is well suited for Power Management and load  
switching applications common in Notebook Computers and  
Portable Battery Packs.  
„ Extended VGSS range (-25 V) for battery applications  
„ High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
„ High power and current handling capability  
„ HBM ESD protection level >7 kV typical (Note 4)  
„ 100% UIL tested  
Applications  
„ High side in DC-DC Buck Converters  
„ Notebook battery power management  
„ Load switch in Notebook  
„ Termination is Lead-free and RoHS Compliant  
Top  
Bottom  
Pin 1  
S
D
D
D
5
6
7
G
S
S
S
4
3
2
S
S
G
D
D
D
D
8
1
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
-30  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±25  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
C = 25 °C  
-18  
T
-35  
ID  
A
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
(Note 1a)  
-9.0  
-Pulsed  
-50  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
18  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
39  
PD  
Power Dissipation  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3.2  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS4435BZ  
FDMS4435BZ  
Power 56  
3000 units  
1
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS4435BZ Rev.C3  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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