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FDMS4D5N08LC

更新时间： 2023-09-03 20:32:29
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 469K
描述
Power MOSFET 80V Single N Channel, 116A, 4.2mΩ in Power 56 Package.

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FDMS4D5N08LC 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：QFN-8Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：1.56
雪崩能效等级（Eas）：384 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：116 A最大漏极电流 (ID)：116 A
最大漏源导通电阻：0.0042 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：65 pFJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：113.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：633 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：114 ns
最大开启时间（吨）：57 nsBase Number Matches：1

FDMS4D5N08LC 数据手册

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FDMS4D5N08LC  
MOSFET, N-Channel  
Shielded Gate,  
POWERTRENCH)  
80 V, 116 A, 4.2 mW  
www.onsemi.com  
General Description  
This N−Channel MV MOSFET is produced using  
ON Semiconductor’s advanced POWERTRENCH process that  
ELECTRICAL CONNECTION  
®
incorporates Shielded Gate technology. This process has been  
optimized to minimise on−state resistance and yet maintain superior  
switching performance with best in class soft body diode.  
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
Features  
• Shielded Gate MOSFET Technology  
• Max r  
• Max r  
= 4.2 mW at V = 10 V, I = 37 A  
GS D  
DS(on)  
= 6.1 mW at V = 4.5 V, I = 29 A  
DS(on)  
GS  
D
N-Channel MOSFET  
• 50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers  
• Lowers Switching Noise/EMI  
• MSL1 Robust Package Design  
• 100% UIL Tested  
D
D
D
D
G
S
S
S
• RoHS Compliant  
Pin 1  
Top  
Typical Applications  
Bottom  
• Primary DC−DC MOSFET  
• Synchronous Rectifier in DC−DC and AC−DC  
• Motor Drive  
Power 56  
(PQFN8 5x6)  
CASE 483AE  
• Solar  
MARKING DIAGRAM  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current − Continuous T = 25°C (Note 5)  
Ratings Unit  
$Y&Z&3&K  
FDMS  
4D5N08LC  
V
DS  
V
GS  
80  
20  
V
V
A
I
D
116  
73  
C
− Continuous T = 100°C  
C
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
(Note 5)  
− Continuous T = 25°C  
17  
A
(Note 1a)  
FDMS4D5N08LC = Specific Device Code  
− Pulsed (Note 4)  
633  
384  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power dissipation T = 25°C  
(Note 3)  
mJ  
W
P
D
113.6  
2.5  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2  
of this data sheet.  
C
Power dissipation T = 25°C (Note 1a)  
A
T
STG  
Operating and Storage Junction Temperature  
Range  
−55 to  
+150  
°C  
J,  
T
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
November, 2018 − Rev. 0  
FDMS4D5N08LC/D  
1234567

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