是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.36 | 雪崩能效等级(Eas): | 32 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 25 V | 最大漏极电流 (ID): | 15 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0075 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
认证状态: | COMMERCIAL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDMS0312S | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,30V,42A,4.9mΩ |
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FDMS7560S | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
25V N沟道PowerTrench® SyncFET™ |
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FDMS7676 | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
30V N沟道PowerTrench® MOSFET |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS7600AS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET N-Channel: |
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FDMS7600AS | ONSEMI |
获取价格 |
30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET |
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FDMS7602S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDMS7602S | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,30A |
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FDMS7606 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30 V, |
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FDMS7606 | ONSEMI |
获取价格 |
30V Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET, MLP 5x6 8L (Power 56), 3000-TAPE REEL |
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FDMS7608S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Q1: 30 V, 22 A, 10.0 m Ohm Q2: 30 V, 30 A, 6.3 m Ohm |
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FDMS7608S | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V |
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FDMS7620S | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V |
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FDMS7620S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30 V, |
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