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FDMS0312S PDF预览

FDMS0312S

更新时间： 2024-01-17 10:08:18
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 438K
描述
N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，42A，4.9mΩ

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FDMS0312S 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.98
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：83 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.0044 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：46 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：90 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS0312S 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
SyncFETt – N-Channel,  
V
MAX  
r
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(on)  
POWERTRENCH)  
30 V  
4.9 mW @ 10 V  
5.8 mW @ 4.5 V  
42 A  
30 V, 42 A, 4.9 mW  
FDMS0312S  
Pin 1  
General Description  
The FDMS0312S has been designed to minimize losses in power  
conversion application. Advancements in both silicon and package  
S
S
S
G
technologies have been combined to offer the lowest r  
maintaining excellent switching performance. This device has the  
added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.  
while  
DS(on)  
D
D
D
D
Bottom  
Top  
Features  
PQFN8 5X6, 1.27P  
(Power 56)  
CASE 483AE  
• Max r  
• Max r  
= 4.9 mW at V = 10 V, I = 18 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
= 5.8 mW at V = 4.5 V, I = 14 A  
GS  
D
• Advanced Package and Silicon Combination for Low r  
High Efficiency  
and  
DS(on)  
MARKING DIAGRAM  
• SyncFET Schottky Body Diode  
• MSL1 Robust Package Design  
&Z&3&K  
FDMS  
0312S  
• 100% UIL Tested  
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
Applications  
&Z  
&3  
&K  
= Assembly Plant Code  
= 3−Digit Date Code  
= 2−Digits Lot Run Code  
• Synchronous Rectifier for DC/DC Converters  
• Notebook Vcore/GPU Low Side Switch  
• Networking Point of Load Low Side Switch  
• Telecom Secondary Side Rectification  
FDMS0312S = Specific Device Code  
PIN CONNECTIONS  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Ratings  
30  
Unit  
V
V
DS  
V
GS  
Gate to Source Voltage (Note 4)  
20  
V
I
D
Drain Current  
A
− Continuous (Package Limited) T = 25°C  
42  
83  
19  
90  
C
− Continuous (Silicon Limited) T = 25°C  
C
− Continuous T = 25°C (Note 1a)  
A
− Pulsed  
E
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
Power Dissipation  
60  
mJ  
W
AS  
P
D
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of  
this data sheet.  
T
= 25°C  
46  
2.5  
C
T = 25°C (Note 1a)  
A
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
2.7  
Unit  
°C/W  
R
q
JC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
q
JA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
50  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
May, 2023 − Rev. 4  
FDMS0312S/D  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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