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FDMS0312S

更新时间： 2024-02-05 04:32:06

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安森美 - ONSEMI		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	438K
描述
N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，42A，4.9mΩ

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FDMS0312S 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.98
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	83 A
最大漏极电流 (ID)：	19 A	最大漏源导通电阻：	0.0044 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-240AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	46 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDMS0312S 数据手册

FDMS0312S

TYPICAL CHARACTERISTICS

(T = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED) (CONTINUED)

3000

1000

= 18 A

iss

= 20 V

= 10 V

oss

= 15 V

100

f = 1 MHz

= 0 V

rss

0.1

, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V

Q , GATE CHARGE (nC)

Figure 7. Gate Charge Characteristics

Figure 8. Capacitance vs. Drain to Source Voltage

T = 25°C

= 10 V

T = 100°C

= 4.5 V

Limited by Package

= 2.7°C/W

T = 125°C

0.01

0.1

100

125

150

t , TIME IN AVALANCHE (ms)

T , CASE TEMPERATURE (5C)

Figure 9. Unclamped Inductive Switching Capability

Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs.

Case Temperature

300

3000

= 10 V

100

1000

100

100 ms

1 ms

10 ms

THIS AREA IS

LIMITED BY r

0.1

100 ms

1 s

DS(on)

SINGLE PULSE

T = MAX RATED

SINGLE PULSE

R = 125°C/W

T = 25°C

10 s

= 125°C/W

T = 25°C

0.01

0.5

10⁻⁴10⁻³10⁻²10⁻¹

0.01

0.1

100200

100

1000

, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

t, PULSE WIDTH (s)

Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area

Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation

www.onsemi.com

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