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FDMS2502SDC

更新时间： 2024-02-08 08:13:28
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 287K
描述
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 25V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, QFN-8

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FDMS2502SDC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFN包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：312 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：49 A最大漏极电流 (ID)：43 A
最大漏源导通电阻：0.0012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：114 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS2502SDC 数据手册

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January 2011  
FDMS2502SDC  
N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® SyncFETTM  
25 V, 49 A, 1.2 mΩ  
Features  
General Description  
„ Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package  
„ Max rDS(on) = 1.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 35 A  
„ Max rDS(on) = 1.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 31 A  
„ High performance technology for extremely low rDS(on)  
„ SyncFET Schottky Body Diode  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced process.  
PowerTrench®  
Advancements in both silicon and Dual CoolTM package  
technologies have been combined to offer the lowest rDS(on)  
while maintaining excellent switching performance by extremely  
low Junction-to-Ambient thermal resistance. This device has the  
added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.  
„ RoHS Compliant  
Applications  
„ Synchronous Rectifier for DC/DC Converters  
„ Telecom Secondary Side Rectification  
„ High End Server/Workstation Vcore Low Side  
Pin 1  
S
S
D
D
D
G
5
6
7
8
4
3
2
1
S
G
S
S
S
D
D
D
D
D
Top  
Power 56  
Bottom  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
25  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
(Note 4)  
±20  
Drain Current -Continuous (Package limited) TC = 25 °C  
49  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
T
C = 25 °C  
250  
ID  
A
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
43  
-Pulsed  
200  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 3)  
(Note 5)  
312  
mJ  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation  
1.3  
V/ns  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
114  
PD  
W
Power Dissipation  
(Note 1a)  
3.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(Top Source)  
(Bottom Drain)  
(Note 1a)  
2.7  
1.1  
38  
81  
16  
23  
11  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1b)  
°C/W  
(Note 1i)  
(Note 1j)  
(Note 1k)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Dual CoolTM Power 56  
Reel Size  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
2502S  
FDMS2502SDC  
13’’  
3000 units  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS2502SDC Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1
1234567...9

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