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FDMS2502SDC PDF预览

FDMS2502SDC

更新时间： 2024-01-07 11:13:57
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 287K
描述
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 25V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, QFN-8

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FDMS2502SDC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFN包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：312 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：49 A最大漏极电流 (ID)：43 A
最大漏源导通电阻：0.0012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：114 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS2502SDC 数据手册

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted  
10  
10000  
1000  
100  
ID = 35 A  
8
Ciss  
VDD = 10 V  
6
Coss  
VDD = 13 V  
4
VDD = 16 V  
2
0
Crss  
f = 1 MHz  
= 0 V  
V
GS  
0
20  
40  
60  
80  
100  
0.1  
1
10  
30  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Q , GATE CHARGE (nC)  
g
Figure 7. Gate Charge Characteristics  
Figure8. C a p a c i t a n c e v s D r a i n  
to Source Voltage  
50  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
R
θJC = 1.1 oC/W  
TJ = 25 oC  
VGS = 10 V  
TJ = 100 o  
C
10  
VGS = 4.5 V  
TJ = 125 o  
C
Limited by package  
50 75  
TC, CASE TEMPERATURE (oC)  
1
0.01  
0
25  
0.1  
1
10  
100  
1000  
100  
125  
150  
tAV, TIME IN AVALANCHE (ms)  
Figure9. U n c l a m p e d I n d u c t i v e  
Switching Capability  
Figure10. Maximum Continuous Drain  
Current vs Case Temperature  
500  
100  
10000  
1000  
100  
SINGLE PULSE  
RθJA = 81 oC/W  
TA = 25 o  
100 us  
C
1 ms  
10  
1
10 ms  
THIS AREA IS  
LIMITED BY r  
100 ms  
1 s  
DS(on)  
SINGLE PULSE  
TJ = MAX RATED  
10  
10 s  
DC  
0.1  
0.01  
R
θJA = 81 oC/W  
A = 25 oC  
T
1
0.5  
10-4  
10-3  
10-2  
t, PULSE WIDTH (sec)  
10-1  
100  
101  
200  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
100 1000  
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 11. Forward Bias Safe  
Operating Area  
Figure 12. Single Pulse Maximum  
Power Dissipation  
www.fairchildsemi.com  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS2502SDC Rev.C1  
5
123456789

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FDMS2502SDC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDMS2502SDC FAIRCHILD

当前型号

 Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 25V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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