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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMS3602S
FDMS3602S PDF预览

FDMS3602S

更新时间： 2024-02-27 17:14:45
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 582K
描述
25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features

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FDMS3602S 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：20 weeks风险等级：0.98
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：50 mJ
外壳连接：DRAIN SOURCE配置：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：135 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.0056 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS3602S 数据手册

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August 2011  
FDMS3602S  
PowerTrench® Power Stage  
25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET  
Features  
General Description  
Q1: N-Channel  
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a  
dual PQFN package. The switch node has been internally  
connected to enable easy placement and routing of synchronous  
buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous  
SyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power  
efficiency.  
„ Max rDS(on) = 5.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 15 A  
„ Max rDS(on) = 8.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 14 A  
Q2: N-Channel  
„ Max rDS(on) = 2.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 26 A  
„ Max rDS(on) = 3.4 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 22 A  
Applications  
„ Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in  
lower switching losses  
„ Computing  
„ MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit  
inductance and reduced switch node ringing  
„ Communications  
„ General Purpose Point of Load  
„ Notebook VCORE  
„ Server  
„ RoHS Compliant  
G1  
D1  
D1  
Pin 1  
D1  
Q2  
D1  
S2  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
PHASE  
(S1/D2)  
PHASE  
D1  
D1  
S2  
S2  
G2  
G2  
S2  
S2  
S2  
G1  
Q1  
Top  
Bottom  
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Q1  
Q2  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
25  
±20  
30  
25  
±20  
V
V
(Note 3)  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
TC = 25 °C  
40  
T
C = 25 °C  
65  
151a  
135  
261b  
100  
1445  
2.51b  
1.01d  
ID  
A
-Continuous  
TA = 25 °C  
-Pulsed  
40  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation for Single Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
504  
2.21a  
1.01c  
mJ  
W
TA = 25°C  
TA = 25°C  
PD  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
571a  
1251c  
3.5  
501b  
1201d  
2
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13”  
Tape Width  
Quantity  
22OA  
N7OC  
FDMS3602S  
Power 56  
12 mm  
3000 units  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS3602S Rev.C5  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS3604AS FAIRCHILD

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 		30V，不对称双 N 沟道 MOSFET，PowerTrench® 功率级
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 		不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V
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