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FDMS2502SDC

更新时间： 2024-02-14 13:33:05
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 287K
描述
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 25V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, QFN-8

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FDMS2502SDC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFN包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：312 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：49 A最大漏极电流 (ID)：43 A
最大漏源导通电阻：0.0012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：114 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS2502SDC 数据手册

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Electrical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Off Characteristics  
BVDSS  
Drain to Source Breakdown Voltage  
ID = 1 mA, VGS = 0 V  
D = 10 mA, referenced to 25 °C  
VDS = 20 V, VGS = 0 V  
25  
V
ΔBVDSS  
ΔTJ  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
I
22  
mV/°C  
IDSS  
IGSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
500  
100  
μA  
Gate to Source Leakage Current, Forward VGS = 20 V, VDS = 0 V  
nA  
On Characteristics  
VGS(th)  
Gate to Source Threshold Voltage  
VGS = VDS, ID = 1 mA  
D = 10 mA, referenced to 25 °C  
GS = 10 V, ID = 35 A  
1.2  
1.5  
-5  
3.0  
V
ΔVGS(th)  
ΔTJ  
Gate to Source Threshold Voltage  
Temperature Coefficient  
I
mV/°C  
V
0.9  
1.2  
1.2  
212  
1.2  
1.7  
1.7  
rDS(on)  
gFS  
Static Drain to Source On Resistance  
Forward Transconductance  
VGS = 4.5 V, ID = 31 A  
mΩ  
VGS = 10 V, ID = 35 A, TJ = 125 °C  
VDD = 5 V, ID = 35 A  
S
Dynamic Characteristics  
Ciss  
Coss  
Crss  
Rg  
Input Capacitance  
6740  
1940  
314  
8965  
2580  
475  
pF  
pF  
pF  
Ω
VDS = 13 V, VGS = 0 V,  
f = 1 MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate Resistance  
0.6  
1.3  
Switching Characteristics  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
20  
9
36  
18  
ns  
ns  
VDD = 13 V, ID = 35 A,  
V
GS = 10 V, RGEN = 6 Ω  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
48  
77  
ns  
5.3  
95  
11  
ns  
Qg  
Total Gate Charge  
Total Gate Charge  
Gate to Source Gate Charge  
Gate to Drain “Miller” Charge  
VGS = 0 V to 10 V  
VGS = 0 V to 4.5 V  
133  
60  
nC  
nC  
nC  
nC  
Qg  
43  
VDD = 13 V,  
D = 35 A  
I
Qgs  
Qgd  
18.6  
8.8  
Drain-Source Diode Characteristics  
V
GS = 0 V, IS = 2 A  
(Note 2)  
(Note 2)  
0.37  
0.74  
44  
0.7  
1.2  
71  
VSD  
Source to Drain Diode Forward Voltage  
V
VGS = 0 V, IS = 35 A  
trr  
Reverse Recovery Time  
ns  
IF = 35 A, di/dt = 300 A/μs  
Qrr  
Reverse Recovery Charge  
68  
109  
nC  
www.fairchildsemi.com  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS2502SDC Rev.C1  
2
1234567...9

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