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FDMS2502SDC

更新时间： 2024-02-16 08:20:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 287K
描述
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 25V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, QFN-8

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FDMS2502SDC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFN包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：312 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：49 A最大漏极电流 (ID)：43 A
最大漏源导通电阻：0.0012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：114 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS2502SDC 数据手册

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted  
14  
12  
10  
8
200  
VGS = 2.5 V  
PULSE DURATION = 80 μs  
VGS = 10 V  
PULSE DURATION = 80 μs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
160  
VGS = 4.5 V  
VGS = 3.5 V  
120  
VGS = 3 V  
VGS = 3 V  
6
80  
4
VGS = 10 V  
VGS = 4.5 V  
VGS = 3.5 V  
40  
VGS = 2.5 V  
2
0
0
0
40  
80  
120  
160  
200  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
ID, DRAIN CURRENT (A)  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure2. N o r m a l i z e d O n - R e s i s ta n c e  
vs Drain Current and Gate Voltage  
Figure 1. On-Region Characteristics  
1.5  
4
PULSE DURATION = 80 μs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
ID = 35 A  
GS = 10 V  
ID = 35 A  
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
V
3
2
1
0
TJ = 125 o  
C
TJ = 25 o  
C
-75 -50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
2
4
6
8
10  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
F i gu re 3 . N orma li zed On - Res is ta nc e  
vs Junction Temperature  
Figure4. On-Resistance vs Gate to  
Source Voltage  
200  
100  
200  
VGS = 0 V  
PULSE DURATION = 80 μs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
160  
120  
80  
VDS = 5 V  
10  
1
TJ = 125 o  
C
TJ = 125 o  
C
TJ = 25 oC  
TJ = 25 o  
C
TJ = -55 o  
C
0.1  
40  
TJ = -55 o  
C
0.01  
0
1.0  
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 5. Transfer Characteristics  
Figure6. Source to Drain Diode  
Forward Voltage vs Source Current  
www.fairchildsemi.com  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS2502SDC Rev.C1  
4
1234567...9

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