是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Lifetime Buy |
包装说明: | FLATPACK, R-PQFP-N7 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 0.97 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN SOURCE | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 40 A |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0056 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 90 pF |
JESD-30 代码: | R-PQFP-N7 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 7 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS3602AS | ONSEMI |
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不对称双 N 沟道,PowerTrench® 功率级 MOSFET,25V |
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FDMS3602S | FAIRCHILD |
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25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features |
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FDMS3602S | ONSEMI |
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不对称双 N 沟道 MOSFET,PowerTrench® 功率级,25V |
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FDMS3604AS | FAIRCHILD |
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PowerTrench® Power Stage 30 V Asymmetric Dua |
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FDMS3604S | ONSEMI |
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不对称双 N 沟道,PowerTrench® 功率级 MOSFET,30V |
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FDMS3606AS | ONSEMI |
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30V,不对称双 N 沟道 MOSFET,PowerTrench® 功率级 |
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FDMS3606S | ONSEMI |
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不对称双 N 沟道,PowerTrench® 功率级 MOSFET,30V |
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FDMS36101L_F085 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench MOSFET 100V, 38A, 26m |
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FDMS36101L-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench? MOSFET,100V,38A,26mΩ |
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FDMS3610S | ONSEMI |
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PowerTrench® 功率级 |
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