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FDMS3660AS PDF预览

FDMS3660AS

更新时间： 2024-09-21 21:17:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 399K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, QFN-8

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FDMS3660AS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, QFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
外壳连接：DRAIN SOURCE配置：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：130 A
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：70 pF
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS3660AS 数据手册

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July 2013  
FDMS3660AS  
PowerTrench® Power Stage  
Asymmetric Dual N-Channel MOSFET  
Features  
General Description  
Q1: N-Channel  
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a  
dual PQFN package. The switch node has been internally  
connected to enable easy placement and routing of synchronous  
buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous  
SyncFETTM (Q2) have been designed to provide optimal power  
efficiency.  
„ Max rDS(on) = 8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A  
„ Max rDS(on) = 11 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11 A  
Q2: N-Channel  
„ Max rDS(on) = 1.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 30 A  
„ Max rDS(on) = 2.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 27 A  
Applications  
„ Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in  
„ Computing  
lower switching losses  
„ Communications  
„ MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit  
inductance and reduced switch node ringing  
„ General Purpose Point of Load  
„ Notebook VCORE  
„ RoHS Compliant  
G1  
Pin 1  
D1  
Pin 1  
D1  
D1  
Q2  
D1  
S2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
PHASE  
(S1/D2)  
PHASE  
D1  
D1  
S2  
S2  
G2  
G2  
S2  
G1  
S2  
Q1  
S2  
Bottom  
Top  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Q1  
Q2  
30  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
±20  
56  
V
V
(Note 3)  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
(Note 4)  
±12  
Drain Current  
-Continuous  
130  
ID  
-Continuous  
-Pulsed  
131a  
301b  
140  
A
70  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
735  
2.21a  
1.01c  
1506  
2.51b  
1.01d  
mJ  
W
Power Dissipation for Single Operation  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
571a  
1251c  
3.5  
501b  
1201d  
2.2  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ”  
Tape Width  
Quantity  
27CF  
32CD  
FDMS3660AS  
Power 56  
12 mm  
3000 units  
1
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS3660AS Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS3660S FAIRCHILD

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