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FDMS3660S PDF预览

FDMS3660S

更新时间： 2024-09-21 12:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 580K
描述
PowerTrench® Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

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FDMS3660S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, QFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.8
Samacsys Description：Fairchild FDMS3660S Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V PowerTrench, 8-Pin Power 56外壳连接：DRAIN SOURCE
配置：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：70 pFJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDMS3660S 数据手册

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January 2012  
FDMS3660S  
PowerTrench® Power Stage  
Asymmetric Dual N-Channel MOSFET  
Features  
General Description  
Q1: N-Channel  
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a  
dual PQFN package. The switch node has been internally  
connected to enable easy placement and routing of synchronous  
buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous  
SyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power  
efficiency.  
„ Max rDS(on) = 8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A  
„ Max rDS(on) = 11 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11 A  
Q2: N-Channel  
„ Max rDS(on) = 1.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 30 A  
„ Max rDS(on) = 2.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 27 A  
Applications  
„ Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in  
„ Computing  
lower switching losses  
„ MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit  
inductance and reduced switch node ringing  
„ Communications  
„ General Purpose Point of Load  
„ Notebook VCORE  
„ RoHS Compliant  
G1  
D1  
D1  
D1  
Q2  
D1  
S2  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
PHASE  
(S1/D2)  
PHASE  
D1  
D1  
S2  
S2  
G2  
G2  
S2  
S2  
G1  
Q1  
S2  
Bottom  
Top  
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Q1  
Q2  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
±20  
30  
30  
±12  
60  
V
V
(Note 3)  
TC = 25 °C  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Drain Current  
-Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
60  
131a  
145  
301b  
120  
865  
2.51b  
11d  
ID  
A
-Pulsed  
40  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
334  
2.21a  
11c  
mJ  
W
Power Dissipation for Single Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
571a  
1251c  
2.9  
501b  
1201d  
2.2  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ”  
Tape Width  
Quantity  
22CF  
07OD  
FDMS3660S  
Power 56  
12 mm  
3000 units  
1
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS3660S Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1234567...15

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与FDMS3660S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS3662 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 100V, 49A, 14.
FDMS3662 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，39A，14.8mΩ
FDMS3664S FAIRCHILD

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 		PowerTrench® Power Stage Asymmetric Dual N-C
FDMS3664S ONSEMI

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 		不对称双 N 沟道 PowerTrench® 功率级 MOSFET 30V
FDMS3668S FAIRCHILD

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 		PowerTrench® Power Stage Asymmetric Dual N-C
FDMS3668S ONSEMI

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 		不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V
FDMS3669S FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDMS3669S ONSEMI

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 		不对称双 N 沟道 PowerTrench® 功率级 MOSFET 30V
FDMS3669S-SN00345 ONSEMI

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 		不对称双 N 沟道 PowerTrench® 功率级 MOSFET 30V
FDMS3672 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 22A, 23mohm

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