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FDMS3662

更新时间： 2024-11-10 11:14:31

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	468K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，39A，14.8mΩ

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FDMS3662 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.96
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	384 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	49 A
最大漏极电流 (ID)：	8.9 A	最大漏源导通电阻：	0.0148 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	104 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDMS3662 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – N-Channel

POWERTRENCH⁾

Pin 1

100 V, 39 A, 14.8 mW

FDMS3662

Description

This N−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced

POWERTRENCH process that has been especially tailored to

minimize the on−state resistance and yet maintain superior switching

performance.

PQFN8 5X6, 1.27P

CASE 483AE

Features

• Max R

= 14.8 mꢀ at V = 10 V, I = 8.9 A

GS D

DS(on)

• Advanced Package and Silicon combination for low R

• Lowers Switching Noise/EMI

DS(on)

• MSL1 Robust Package Design

• 100% UIL Tested

• These Device is Pb−Free and RoHS Compliant

MARKING DIAGRAM

Typical Applications

• DC−DC Conversion

&Z&3&K

3662

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

Value

100

Unit

= Assembly Plant Code

= Numeric Date Code

= 2−Digit Lot Code

3662 = Specific Device Code

− Continuous T = 25°C

8.9

− Continuous T = 25°C (Note 1a)

ORDERING INFORMATION

− Pulsed

†

Device

Shipping

3000 /

Tape & Reel

Package

Single Pulse Avalanche Energy

(Note 3)

384

FDMS3662

PQFN−8

(Pb−Free)

Power Dissipation T = 25°C

104

2.5

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Power Dissipation T = 25°C (Note 1a)

T , T

Operating and Storage Junction

Temperature Range

−55 to +150

°C

stg

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

Publication Order Number:

May, 2023 − Rev 4

FDMS3662/D

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDMS3664S	FAIRCHILD	获取价格	PowerTrenchÂ® Power Stage Asymmetric Dual N-C
FDMS3664S	ONSEMI	获取价格	不对称双 N 沟道 PowerTrench® 功率级 MOSFET 30V
FDMS3668S	FAIRCHILD	获取价格	PowerTrenchÂ® Power Stage Asymmetric Dual N-C
FDMS3668S	ONSEMI	获取价格	不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V
FDMS3669S	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDMS3669S	ONSEMI	获取价格	不对称双 N 沟道 PowerTrench® 功率级 MOSFET 30V
FDMS3669S-SN00345	ONSEMI	获取价格	不对称双 N 沟道 PowerTrench® 功率级 MOSFET 30V
FDMS3672	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 22A, 23mohm
FDMS3672	ONSEMI	获取价格	N 沟道，UltraFET® Trench MOSFET，100V，22A，23mΩ
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