是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 20 weeks | 风险等级: | 1.49 |
外壳连接: | DRAIN SOURCE | 配置: | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A |
最大漏极电流 (ID): | 13 A | 最大漏源导通电阻: | 0.01 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 55 pF |
JEDEC-95代码: | MO-240AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-F6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS3669S-SN00345 | ONSEMI |
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不对称双 N 沟道 PowerTrench® 功率级 MOSFET 30V | |
FDMS3672 | FAIRCHILD |
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N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 22A, 23mohm | |
FDMS3672 | ONSEMI |
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N 沟道,UltraFET® Trench MOSFET,100V,22A,23mΩ | |
FDMS3686S | FAIRCHILD |
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PowerTrench® Power Stage Asymmetric Dual N-C | |
FDMS3686S | ONSEMI |
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不对称双 N 沟道,PowerTrench® 功率级 MOSFET,30V | |
FDMS3D5N08LC | ONSEMI |
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功率 MOSFET 80V,单 N 沟道,136A,3.5mΩ,采用 Power 56 | |
FDMS4435BZ | FAIRCHILD |
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P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -18 A, | |
FDMS4435BZ | ONSEMI |
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P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V,-18A,20mΩ | |
FDMS4D0N12C | ONSEMI |
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N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,120V,118A,4.0mΩ | |
FDMS4D4N08C | ONSEMI |
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N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,80V,123A,4.3mΩ |