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FDMS3660S PDF预览

FDMS3660S

更新时间： 2023-09-03 20:34:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 704K
描述
不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V

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FDMS3660S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, QFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.8
Samacsys Description：Fairchild FDMS3660S Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V PowerTrench, 8-Pin Power 56外壳连接：DRAIN SOURCE
配置：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：70 pFJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDMS3660S 数据手册

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FDMS3660S  
PowerTrench) Power Stage  
Asymmetric Dual N−Channel MOSFET  
Description  
This device includes two specialized N−Channel MOSFETs in a  
dual PQFN package. The switch node has been internally connected to  
enable easy placement and routing of synchronous buck converters.  
The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET (Q2) have  
been designed to provide optimal power efficiency.  
www.onsemi.com  
Features  
Q1: N−Channel  
• Max r  
• Max r  
= 8 mW at V = 10 V, I = 13 A  
GS D  
DS(on)  
= 11 mW at V = 4.5 V, I = 11 A  
DS(on)  
GS  
D
Q2: N−Channel  
G1  
• Max r  
= 1.8 mW at V = 10 V, I = 30 A  
GS D  
DS(on)  
Pin 1  
D1  
• Max r  
= 2.2 mW at V = 4.5 V, I = 27 A  
GS D  
D1  
DS(on)  
D1  
• Low Inductance Packaging Shortens Rise/Fall Times, Resulting in  
D1  
Lower Switching Losses  
PHASE  
(S1/D2)  
• MOSFET Integration Enables Optimum Layout for Lower Circuit  
Inductance and Reduced Switch Node Ringing  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
G2  
S2  
S2  
S2  
PQFN8  
POWER 56  
Applications  
• Computing  
• Communications  
• General Purpose Point of Load  
• Notebook VCORE  
CASE 483AJ  
Q2  
D1  
4
S2  
5
6
7
8
PHASE  
D1  
D1  
S2  
S2  
G2  
3
2
1
G1  
Q1  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
November, 2017 − Rev. 3  
FDMS3660S/D  
1234567...16

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