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FDMS3664S

更新时间： 2024-02-17 18:35:46
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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15页 584K
描述
PowerTrench® Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

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FDMS3664S 数据手册

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December 2011  
FDMS3664S  
PowerTrench® Power Stage  
Asymmetric Dual N-Channel MOSFET  
Features  
General Description  
Q1: N-Channel  
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a  
dual PQFN package. The switch node has been internally  
connected to enable easy placement and routing of synchronous  
buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous  
SyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power  
efficiency.  
„ Max rDS(on) = 8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A  
„ Max rDS(on) = 11 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11 A  
Q2: N-Channel  
„ Max rDS(on) = 2.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A  
„ Max rDS(on) = 3.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 22 A  
Applications  
„ Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in  
„ Computing  
lower switching losses  
„ MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit  
inductance and reduced switch node ringing  
„ Communications  
„ General Purpose Point of Load  
„ Notebook VCORE  
„ RoHS Compliant  
G1  
D1  
D1  
D1  
Q2  
D1  
S2  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
PHASE  
(S1/D2)  
PHASE  
D1  
D1  
S2  
S2  
G2  
G2  
S2  
S2  
G1  
Q1  
S2  
Bottom  
Top  
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Q1  
Q2  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
±20  
30  
30  
±12  
60  
V
V
(Note 3)  
TC = 25 °C  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Drain Current  
-Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
60  
131a  
118  
251b  
100  
485  
2.51b  
11d  
ID  
A
-Pulsed  
40  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
334  
2.21a  
11c  
mJ  
W
Power Dissipation for Single Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
571a  
1251c  
2.9  
501b  
1201d  
2.3  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ”  
Tape Width  
Quantity  
22CF  
10OD  
FDMS3664S  
Power 56  
12 mm  
3000 units  
1
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS3664S Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS3668S FAIRCHILD

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FDMS3D5N08LC ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET 80V，单 N 沟道，136A，3.5mΩ，采用 Power 56

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