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FDMS0312S

更新时间： 2024-02-08 03:00:24
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 438K
描述
N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，42A，4.9mΩ

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FDMS0312S 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.98
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：83 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.0044 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：46 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：90 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS0312S 数据手册

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FDMS0312S  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
BV  
Drain to Source Breakdown Voltage  
I
I
= 1 mA, V = 0 V  
30  
−
−
−
−
V
DSS  
D
GS  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
= 10 mA, referenced to 25°C  
18  
mV/°C  
DBVDSS  
DTJ  
D
I
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
V
= 24 V, V = 0 V  
−
−
−
−
500  
100  
mA  
DSS  
GSS  
DS  
GS  
I
Gate to Source Leakage Current, Forward  
= 20 V, V = 0 V  
nA  
GS  
DS  
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
V
Gate to Source Threshold Voltage  
V
I
= V , I = 1 mA  
1.2  
−
1.9  
−5  
3.0  
−
V
GS(th)  
GS  
DS D  
Gate to Source Threshold Voltage  
Temperature Coefficient  
= 10 mA, referenced to 25°C  
mV/°C  
DVGS(th)  
DTJ  
D
r
Static Drain to Source On Resistance  
Forward Transconductance  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
V
DS  
= 10 V, I = 18 A  
−
−
−
−
3.6  
4.7  
5
4.9  
5.8  
6.2  
−
mW  
DS(on)  
D
= 4.5 V, I = 14 A  
D
= 10 V, I = 18 A, T = 125°C  
D
J
g
FS  
= 5 V, I = 18 A  
97  
S
D
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
C
Input Capacitance  
V
DS  
= 15 V, V = 0 V, f = 1 MHz  
−
−
−
−
2120  
735  
90  
2820  
975  
135  
2.2  
pF  
pF  
pF  
W
iss  
GS  
C
oss  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate Resistance  
C
rss  
R
1.1  
g
SWITCHING CHARACTERISTICS  
t
Turn−On Delay Time  
Rise Time  
V
R
= 15 V, I = 18 A, V = 10 V,  
−
−
−
−
−
−
−
−
12  
5
21  
10  
44  
10  
46  
22  
−
ns  
ns  
d(on)  
DD  
D
GS  
= 6 W  
GEN  
t
r
t
Turn−Off Delay Time  
Fall Time  
28  
4
ns  
d(off)  
t
f
ns  
Q
Q
Total Gate Charge  
Total Gate Charge  
Gate to Source Gate Charge  
Gate to Drain “Miller” Charge  
V
GS  
V
GS  
V
DD  
= 0 V to 10 V, V = 15 V, I = 18 A  
33  
15  
6.5  
4.0  
nC  
nC  
nC  
nC  
g
DD  
D
= 0 V to 4.5 V, V = 15 V, I = 18 A  
g
DD  
D
Q
= 15 V, I = 18 A  
D
gs  
gd  
Q
−
DRAIN−SOURCE DIODE CHARACTERISTICS  
V
Source to Drain Diode Forward Voltage  
V
V
= 0 V, I = 2 A (Note 2)  
−
−
−
−
0.48  
0.80  
26  
0.7  
1.2  
42  
V
SD  
GS  
S
= 0 V, I = 18 A (Note 2)  
GS  
S
t
Reverse Recovery Time  
I = 18 A, di/dt = 300 A/ms  
F
ns  
rr  
Q
Reverse Recovery Charge  
26  
42  
nC  
rr  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
2
1. R  
is determined with the device mounted on a 1in pad 2 oz copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR−4 material. R  
is guaranteed  
JC  
q
q
JA  
by design while R  
is determined by the user’s board design.  
q
CA  
a. 50°C/W when mounted on a  
b. 125°C/W when mounted on a  
minimum pad of 2 oz copper.  
2
1 in pad of 2 oz copper.  
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 ms, Duty cycle < 2.0%.  
3. E of 60 mJ is based on starting T = 25°C, L = 1 mH, I = 11 A, V = 27 V, V = 10 V. 100% test at L = 0.3 mH, I = 16 A.  
AS  
J
AS  
DD  
GS  
AS  
4. As an N−ch device, the negative Vgs rating is for low duty cycle pulse occurrence only. No continuous rating is implied.  
www.onsemi.com  
2
 
12345678

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