是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 16 weeks | 风险等级: | 1.52 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 120 A | 最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0075 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F6 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS7602S | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDMS7602S | ONSEMI |
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双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,30A | |
FDMS7606 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30 V, | |
FDMS7606 | ONSEMI |
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30V Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET, MLP 5x6 8L (Power 56), 3000-TAPE REEL | |
FDMS7608S | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Q1: 30 V, 22 A, 10.0 m Ohm Q2: 30 V, 30 A, 6.3 m Ohm | |
FDMS7608S | ONSEMI |
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双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V | |
FDMS7620S | ONSEMI |
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双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V | |
FDMS7620S | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30 V, | |
FDMS7620S-F106 | ONSEMI |
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双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V | |
FDMS7650 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 60 A, 0.9 |