是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | QFN |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, 8 PIN | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.7 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 90 A |
最大漏极电流 (ID): | 15.2 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0068 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 1045 pF |
JEDEC-95代码: | MO-240AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 73 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS6681Z | FAIRCHILD |
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P-Channel PowerTrench®MOSFET -30 V, -49 A, 3. |
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FDMS6681Z | ROCHESTER |
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21100mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWER 56, MO-240AA, 8 P |
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FDMS6681Z | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-122A,3.2mΩ |
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FDMS7556S | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 25V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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FDMS7556S | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,25V,130A,1.2mΩ |
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FDMS7558S | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench SyncFET 25V,49A,1.25 milliohm |
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FDMS7558S | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,25V,49A,1.25mΩ |
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FDMS7560S | ONSEMI |
获取价格 |
25V N沟道PowerTrench® SyncFET™ |
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FDMS7560S | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 25 V, 49 A, |
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FDMS7570S | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.95 m Ohm |
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