是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SON |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, POWER 56, MO-240AA, 8 PIN | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.37 |
雪崩能效等级(Eas): | 40 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 25 V |
最大漏极电流 (ID): | 17 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0058 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS7580 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench MOSFET 25 V, 7.5 mΩ |
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FDMS7580 | ONSEMI |
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25V N沟道PowerTrench® MOSFET |
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FDMS7600AS | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET N-Channel: |
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FDMS7600AS | ONSEMI |
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30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET |
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FDMS7602S | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDMS7602S | ONSEMI |
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双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,30A |
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FDMS7606 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30 V, |
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FDMS7606 | ONSEMI |
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30V Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET, MLP 5x6 8L (Power 56), 3000-TAPE REEL |
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FDMS7608S | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Q1: 30 V, 22 A, 10.0 m Ohm Q2: 30 V, 30 A, 6.3 m Ohm |
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FDMS7608S | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V |
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