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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SON |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, MO-240AA, POWER 56, 8 PIN | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.36 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0067 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSC100N06LS3 G | INFINEON |
功能相似  |
OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| BSC076N06NS3 G | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
|
| BSC067N06LS3GATMA1 | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMS5360L_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDMS5360L-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，60A，6.5mΩ |
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| FDMS5361L-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，35A，11.7mΩ |
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| FDMS5362L_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17.6A I(D), 60V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FDMS5362L-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
60 V、17.6 A、26 mΩ、Power 56N 沟道 UltraFET® |
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| FDMS5672 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UltraFET Trench MOSFET 60V, 22A, 11.5mohm |
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| FDMS5672 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET Trench® MOSFET，60V，22A，11.5mΩ |
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| FDMS5672_0712 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET |
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| FDMS6673BZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -28 A, 6 |
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| FDMS6673BZ | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V，-82A，6.8mΩ |
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