是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 8 weeks | 风险等级: | 0.96 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 22 A | 最大漏极电流 (ID): | 10.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.018 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 78 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NVD5865NLT4G | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
Power MOSFET 60 V, 46 A, 16 m, Single NâCh |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS5672_0712 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET |
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FDMS6673BZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -28 A, 6 |
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FDMS6673BZ | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V,-82A,6.8mΩ |
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FDMS6681Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel PowerTrench®MOSFET -30 V, -49 A, 3. |
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FDMS6681Z | ROCHESTER |
获取价格 |
21100mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWER 56, MO-240AA, 8 P |
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FDMS6681Z | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-122A,3.2mΩ |
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FDMS7556S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 25V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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FDMS7556S | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,25V,130A,1.2mΩ |
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FDMS7558S | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench SyncFET 25V,49A,1.25 milliohm |
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FDMS7558S | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,25V,49A,1.25mΩ |
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