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FDMS4D0N12C PDF预览

FDMS4D0N12C

更新时间： 2024-09-22 11:15:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 370K
描述
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，118A，4.0mΩ

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FDMS4D0N12C 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：26 weeks
风险等级：1.55JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

FDMS4D0N12C 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET - Power, Single  
N-Channel, PQFN8  
120 V, 4.0 mW, 114 A  
V
I
D
MAX  
R
MAX  
DS(on)  
(BR)DDS  
67 A  
33 A  
4.4 mW @ 10 V  
8.8 mW @ 6 V  
120 V  
FDMS4D0N12C  
ELECTRICAL CONNECTION  
Features  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
DS(on)  
G
• These are Pb−free, Halogen Free / BFR Free and are RoHS  
Compliant  
Typical Applications  
N-Channel MOSFET  
• Synchronous Rectification  
• AC−DC and DC−DC Power Supplies  
• AC−DC Adapters (USB PD) SR  
• Load Switch  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, Unless otherwise specified)  
A
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
120  
20  
Unit  
V
PQFN8 5x6  
(Power 56)  
CASE 483AF  
V
DSS  
V
GS  
V
Continuous Drain  
Steady  
State  
T
C
= 25°C  
I
D
114  
A
Current R  
(Note 7)  
θ
JC  
MARKING DIAGRAM  
Power Dissipation  
(Note 2)  
P
106  
W
A
D
R
$Y&Z&3&K  
FDMS  
4D0N12C  
θ
JC  
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
I
D
18.5  
θ
JA  
(Note 6, 7)  
Power Dissipation  
P
2.7  
W
A
D
R
(Note 6, 7)  
θ
JA  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= onsemi Logo  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
Pulsed Drain  
Current  
T = 25°C, t = 10 μs  
I
DM  
628  
A
p
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
FDMS4D0N12C  
= Specific Device Code  
Source Current (Body Diode)  
I
114  
222  
A
S
ORDERING INFORMATION  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
Energy (I = 66.7 A, L = 0.1 mH)  
AV  
Lead Temperature Soldering Reflow for  
Soldering Purposes  
T
L
300  
°C  
(1/8” from case for 10 s)  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
March, 2022 − Rev. 4  
FDMS4D0N12C/D  
12345678

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与FDMS4D0N12C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS4D4N08C ONSEMI

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 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，123A，4.3mΩ
FDMS4D5N08LC ONSEMI

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 		Power MOSFET 80V Single N Channel, 116A, 4.2m
FDMS5352 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 60V, 49A, 6.7m
FDMS5352 ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，49A，6.7mΩ
FDMS5360L_F085 FAIRCHILD

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 		N-Channel UltraFET Trench MOSFET 60V, 22A, 11.5mohm

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