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FDMS3D5N08LC

更新时间： 2024-09-22 11:13:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 443K
描述
功率 MOSFET 80V，单 N 沟道，136A，3.5mΩ，采用 Power 56 封装。

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FDMS3D5N08LC 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
ELECTRICAL CONNECTION  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH) Shielded  
Gate  
,
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
80 V, 136 A, 3.5 mW  
2
1
FDMS3D5N08LC  
N-Channel MOSFET  
General Description  
This N−Channel MV MOSFET is produced using onsemi’s  
advanced POWERTRENCH process that incorporates Shielded Gate  
technology. This process has been optimized to minimise on−state  
resistance and yet maintain superior switching performance with best  
in class soft body diode.  
D
D
D
D
G
S
S
S
Pin 1  
Top  
Bottom  
Features  
Shielded Gate MOSFET Technology  
PQFN8 5x6  
(Power 56)  
CASE 483AE  
Max R  
Max R  
= 3.5 mW at V = 10 V, I = 45 A  
DS(on)  
GS D  
= 5.1 mW at V = 4.5 V, I = 36 A  
DS(on)  
GS  
D
50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers  
Lowers Switching Noise/EMI  
MSL1 Robust Package Design  
100% UIL Tested  
MARKING DIAGRAM  
&Z&3&K  
FDMS  
RoHS Compliant  
3D5N08LC  
Typical Applications  
Primary DC−DC MOSFET  
Synchronous Rectifier in DC−DC and AC−DC  
Motor Drive  
&Z  
&3  
&K  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
Solar  
FDMS3D5N08LC = Specific Device Code  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current − Continuous T = 25C (Note 5)  
Ratings Unit  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2  
of this data sheet.  
V
DS  
80  
20  
136  
86  
V
V
A
V
GS  
I
D
C
− Continuous T = 100C  
C
(Note 5)  
− Continuous T = 25C  
19  
A
(Note 1a)  
− Pulsed (Note 4)  
745  
486  
125  
2.5  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Power dissipation T = 25C  
mJ  
W
AS  
P
D
C
Power dissipation T = 25C (Note 1a)  
A
T
STG  
Operating and Storage Junction Temperature  
Range  
−55 to  
+150  
C  
J,  
T
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
June, 2023 − Rev. 1  
FDMS3D5N08LC/D  
1234567

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与FDMS3D5N08LC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS4435BZ FAIRCHILD

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