FDMS3672

更新时间： 2024-09-21 03:36:27

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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7页	252K
描述
N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 22A, 23mohm

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FDMS3672 数据手册

February 2007

FDMS3672

N-Channel UltraFET Trench MOSFET

100V, 22A, 23mΩ

Features

General Description

Max r_DS(on)= 23mΩ at V_GS= 10V, I_D= 7.4A

Max r_DS(on)= 29mΩ at V_GS= 6V, I_D= 6.6A

Typ Qg = 31nC at V_GS= 10V

Low Miller Charge

UItraFET devices combine characteristics that enable

benchmark efficiency in power conversion applications.

Optimized for r_DS(on), low ESR, low total and Miller gate charge,

these devices are ideal for high frequency DC to DC converters.

Application

Optimized efficiency at high frequencies

RoHS Compliant

DC - DC Conversion

Pin 1

Power (Bottom view)

MOSFET Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

V_GS

Parameter

Ratings

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

100

±20

Drain Current -Continuous (Package limited)

-Continuous (Silicon limited)

-Continuous

T_C= 25°C

I_D

T_A= 25°C

(Note 1a)

7.4

-Pulsed

Power Dissipation

T_C= 25°C

T_A= 25°C

P_D

Power Dissipation

2.5

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

1.6

°C/W

(Note 1a)

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Package

Reel Size

13’’

Tape Width

12mm

Quantity

FDMS3672

Power 56

3000 units

FDMS3672 Rev.C

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7

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FDMS3672 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS3170N7	FAIRCHILD	类似代替	100V N-Channel PowerTrench MOSFET
BSC196N10NS G	INFINEON	功能相似	英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM

与FDMS3672相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDMS3686S	FAIRCHILD	获取价格	PowerTrenchÂ® Power Stage Asymmetric Dual N-C
FDMS3686S	ONSEMI	获取价格	不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V
FDMS3D5N08LC	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET 80V，单 N 沟道，136A，3.5mΩ，采用 Power 56
FDMS4435BZ	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET -30 V, -18 A,
FDMS4435BZ	ONSEMI	获取价格	P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V，-18A，20mΩ
FDMS4D0N12C	ONSEMI	获取价格	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，118A，4.0mΩ
FDMS4D4N08C	ONSEMI	获取价格	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，123A，4.3mΩ
FDMS4D5N08LC	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 80V Single N Channel, 116A, 4.2m
FDMS5352	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 60V, 49A, 6.7m
FDMS5352	ONSEMI	获取价格	N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，49A，6.7mΩ