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FDLL4448L99Z

更新时间: 2024-09-08 13:56:23
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德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 113K
描述
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE

FDLL4448L99Z 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.76
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.73 V
JESD-30 代码:O-LELF-R2最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

FDLL4448L99Z 数据手册

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