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FDLL457AD87Z

更新时间： 2024-11-27 14:29:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 37K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, LL-34, 2 PIN

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FDLL457AD87Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-LELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.62外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-LELF-R2
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：WRAP AROUND
端子位置：ENDBase Number Matches：1

FDLL457AD87Z 数据手册

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1N/FDLL 456/A - 1N/FDLL 459/A  
COLOR BAND MARKING  
DEVICE  
1ST BAND 2ND BAND  
FDLL456  
BROWN  
WHITE  
WHITE  
BLACK  
BLACK  
BROWN  
BROWN  
RED  
FDLL456A BROWN  
FDLL457 RED  
FDLL457A RED  
FDLL458 RED  
FDLL458A RED  
FDLL459 RED  
LL-34  
THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP  
HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION  
OF THE CATHODE TERMINAL  
DO-35  
FDLL459A RED  
RED  
High Conductance Low Leakage Diode  
Sourced from Process 1M. See MMBD1501/A-1505/A for characteristics.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
WIV  
Working Inverse Voltage  
25  
60  
125  
175  
200  
V
V
V
V
mA  
456/A  
457/A  
458/A  
459/A  
IO  
Average Rectified Current  
DC Forward Current  
IF  
500  
600  
mA  
mA  
Recurrent Peak Forward Current  
if  
Peak Forward Surge Current  
Pulse width = 1.0 second  
if(surge)  
1.0  
4.0  
A
A
Pulse width = 1.0 microsecond  
Storage Temperature Range  
-65 to +200  
C
°
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
175  
C
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
1N / FDLL 456/A - 459/A  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25 C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
500  
3.33  
300  
mW  
mW/ C  
°
°
Rθ  
C/W  
°
JA  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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