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FDLL4448S62Z

更新时间: 2024-11-24 20:53:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 109K
描述
0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE

FDLL4448S62Z 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.76
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.73 VJESD-30 代码:O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

FDLL4448S62Z 数据手册

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